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2024-12-19
19次
射頻器件高級主任工程師
5萬-6萬5/月
英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司
申請職位
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基本信息
工作性質(zhì)全職
招聘人數(shù)2人
招聘部門不限
學(xué)歷要求碩士
工作經(jīng)驗五至十年
年齡要求不限
其他待遇說明暫無
工作地點蘇州市吳江區(qū)(江蘇省/蘇州/吳中區(qū))
聯(lián)系方式
聯(lián)系人:鄭經(jīng)理  ( 聯(lián)系我時,請說是在吉安人才網(wǎng)上看到的 )
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職位動態(tài)
100%
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簡歷處理率
0天
簡歷平均處理時長
12-19 14:32
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職位描述
崗位職責(zé):
1、配合客戶和市場需求制定RF開發(fā)目標(biāo)及業(yè)務(wù)實現(xiàn)規(guī)劃;
2、承擔(dān)項目經(jīng)理或器件負(fù)責(zé)人工作,完成產(chǎn)品研發(fā)并交付滿足技術(shù)指標(biāo)要求的產(chǎn)品;
3、協(xié)調(diào)與其它部門資源合作,確保項目進(jìn)度;
4、建立規(guī)范的研發(fā)和測試表征體系。

任職要求:
1、具備6年以上相關(guān)經(jīng)驗
2、精通射頻微波GaN HEMT半導(dǎo)體器件原理和制造工藝;
3、熟練使用RF GaN HEMT測試表征系統(tǒng)如網(wǎng)絡(luò)分析儀、loadpull等;
4、熟悉RF GaN HEMT器件設(shè)計、匹配設(shè)計、封裝設(shè)計等;
5、熟悉RF GaN HEMT器件模型開發(fā);
6. 有完整RF GaN HEMT器件開發(fā)和性能提升經(jīng)驗者優(yōu)先。


專業(yè)要求:微電子或半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)
60-80萬

工作地點


江蘇省蘇州市吳江區(qū)江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)新黎路98號
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